核心技術將獲國家科技獎LED迎國家標準

　　據(jù)悉，2015年度國家科學技術獎擬于2016年1月份在人民大會堂舉辦頒獎典禮。據(jù)分析，備受矚目的技術發(fā)明一等獎有望花落“硅襯底高光效GaN基藍色發(fā)光二極管”項目。硅襯底項目的主要參與人員孫錢表示，從國家戰(zhàn)略層面講，硅襯底技術是我國擁有自主知識產權的技術路線，可以構建中國完全自主的LED產業(yè)。

　　據(jù)上海證券報12月22日消息，與硅襯底技術并列LED三大技術路線的藍寶石襯底技術曾獲2014年諾貝爾物理學獎。有產業(yè)經濟學家表示，在成本持續(xù)下降的背景下，硅襯底技術如若能獲得資本大力追捧，LED產業(yè)格局有望被重塑。

　　16日國務院常務會議通過2015年度國家科學技術獎評選結果，根據(jù)此前的初評公示及歷史經驗判斷，2015年國家技術發(fā)明一等獎有望被“硅襯底高光效GaN基藍色發(fā)光二極管”奪取，因為這是本年度唯一一個入選該獎項初評一等獎的項目。

　　“硅襯底高光效GaN基藍色發(fā)光二極管”由江西省申報，項目主要參與人員包括南昌大學的江風益教授、晶能光電江西有限公司的孫錢等人。

　　項目資料顯示，該項目率先攻克硅基相關難題，所生產的硅襯底LED各項指標在同類研究中均處于國際領先地位，并與碳化硅、藍寶石兩條技術路線水平持平；并從襯底加工、外延生長、芯片制造、器件封裝四大環(huán)節(jié)均發(fā)明了適合硅襯底高光效藍光LED生產的關鍵核心技術，自成體系；該項技術已經申請或擁有國際國內專利232項，其中已授權發(fā)明專利127項，實現(xiàn)了外延芯片核心部件每一層都有專利保護。

　　據(jù)介紹，國家技術發(fā)明一等獎判定標準為：屬國內外首創(chuàng)的重大技術發(fā)明或創(chuàng)新，技術經濟指標達到了同類技術領先水平，且推動相關領域技術進步且已產生顯著的經濟或者社會效益。

　　“硅襯底技術確實應該獲得這個大獎，他打破了日美國家在這個領域的技術壟斷，這是國家大力支持科技發(fā)明的體現(xiàn)。”一位接近國務院高層的產業(yè)經濟學家如此評價。

　　LED芯片襯底主要有三條技術路線：碳化硅襯底、藍寶石襯底、硅襯底。其中，前者走的是“貴族路線”，成本高昂，其襯底及LED制備技術被美國公司壟斷。藍寶石襯底技術則主要掌握在日本公司手中，成本較低，這是目前市場上的主流路線；但藍寶石晶圓散熱較差，晶體垂直生長困難很難做到大尺寸、無法制作垂直結構的器件，襯底也較難剝離。而第三條路線就是中國自主發(fā)展起來的硅襯底技術，它彌補了前兩大技術路線之不足。

　　“藍寶石技術發(fā)明者曾獲2014年諾貝爾物理學獎，從這個角度而言，硅襯底技術獲得中國國家技術發(fā)明一等獎的可能性很大。”有LED產業(yè)人士如此表示。

　　上述業(yè)內人士表示，硅襯底項目的重大創(chuàng)新意義在于：硅基氮化鎵技術是中國自主研發(fā)、擁有完全自主知識產權的技術路線，將構建中國LED產業(yè)標準，凸顯產業(yè)后發(fā)優(yōu)勢；這一技術也將獲得國家的大力支持與推廣，對我國的LED產業(yè)格局有望產生革命性的影響。

　　孫錢表示，從國家戰(zhàn)略層面講，硅基氮化鎵技術是我國擁有自主知識產權的技術路線，可以構建中國完全自主的LED產業(yè)；從產業(yè)層面講，基于硅材料的價格低廉和易于獲取、硅基氮化鎵技術的優(yōu)勢，利用成熟的集成電路產能，可以推動從設備到芯片、封裝等全產業(yè)鏈成本大為下降?！肮杌壖夹g接下來應該會得到國家相關政策的進一步扶持和支持，這對LED整個產業(yè)鏈都將會有巨大的影響，我們非常期待這些政策的落地?！睂O錢如此說。A股中聯(lián)創(chuàng)光電、雪萊特等上市公司，涉及LED相關業(yè)務。

來源：上海證券報

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