第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)全球?qū)＠暾?qǐng)量逾16萬(wàn)件 中國(guó)企業(yè)發(fā)力強(qiáng)勁

　　智慧芽創(chuàng)新研究中心28日發(fā)布《第三代半導(dǎo)體-氮化鎵(GaN)技術(shù)洞察報(bào)告》顯示，目前全球在氮化鎵產(chǎn)業(yè)已申請(qǐng)16萬(wàn)多件專(zhuān)利，有效專(zhuān)利6萬(wàn)多件，行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新度比較高。該領(lǐng)域中美日技術(shù)實(shí)力較強(qiáng)，國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈基本形成，產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)相對(duì)聚焦中游，國(guó)內(nèi)企業(yè)正紛紛入場(chǎng)。

　　氮化鎵(GaN)主要指一種由人工合成的半導(dǎo)體材料，是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表。目前氮化鎵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)鏈已經(jīng)初步形成，相關(guān)器件快速發(fā)展，產(chǎn)業(yè)范圍涵蓋氮化鎵單晶襯底、半導(dǎo)體器件芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)以及芯片等主要應(yīng)用場(chǎng)景。氮化鎵應(yīng)用范圍廣泛，下游應(yīng)用涵蓋了5G基站、特高壓、新能源充電樁、城際高鐵等主要領(lǐng)域。

　　全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)規(guī)模呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。據(jù)分析機(jī)構(gòu)Yole研究顯示，在氮化鎵功率器件方面，2020年整體市場(chǎng)規(guī)模為0.46億美元，受消費(fèi)類(lèi)電子、電信及數(shù)據(jù)通信、電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)，預(yù)計(jì)到2026年增長(zhǎng)至11億美元，復(fù)合年均增長(zhǎng)率為70%，其中，電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域的年復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)185%。在氮化鎵射頻器件方面，2020年整體市場(chǎng)規(guī)模為8.91億美元，預(yù)計(jì)到2026年增長(zhǎng)至24億美元。

　　從氮化鎵全球技術(shù)布局來(lái)看，中國(guó)、美國(guó)和日本為氮化鎵技術(shù)布局的熱門(mén)市場(chǎng)。美國(guó)和日本起步較早，起步于20世紀(jì)70年代初，目前全球氮化鎵技術(shù)主要來(lái)源于日本。中國(guó)起步雖晚，但后起發(fā)力強(qiáng)勁。

　　報(bào)告顯示，全球氮化鎵創(chuàng)新主體的龍頭企業(yè)主要集中于日本。氮化鎵產(chǎn)業(yè)國(guó)外重點(diǎn)企業(yè)包括日本住友、美國(guó)Cree、德國(guó)英飛凌、韓國(guó)LG、三星等，中國(guó)企業(yè)代表有晶元光電、三安光電、臺(tái)積電、華燦光電等。目前中國(guó)企業(yè)和國(guó)外企業(yè)相比，專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)量上仍有一定差距。

　　在全球氮化鎵產(chǎn)業(yè)中，日本住友率先量產(chǎn)氮化鎵襯底，是全球氮化鎵射頻器件主要供應(yīng)商，也是華為GaN射頻器件主要供應(yīng)商之一。美國(guó)Cree依靠其技術(shù)儲(chǔ)備支撐了氮化鎵功率器件的市場(chǎng)化。德國(guó)英飛凌持續(xù)深耕功率器件領(lǐng)域，重點(diǎn)關(guān)注美國(guó)市場(chǎng)。

　　國(guó)內(nèi)LED龍頭企業(yè)三安光電在氮化鎵領(lǐng)域有一定技術(shù)儲(chǔ)備。2014年，三安光電投資建設(shè)氮化鎵高功率半導(dǎo)體項(xiàng)目；2018年，在福建泉州斥資333億元投資Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體材料、LED外延、芯片等產(chǎn)業(yè)。在氮化鎵領(lǐng)域，三安光電主要集中于產(chǎn)業(yè)鏈中游——器件模組的研究。

　　當(dāng)前全球氮化鎵技術(shù)主要聚焦三大重點(diǎn)技術(shù)。首先，GaN襯底技術(shù)是器件降本的突破口，當(dāng)前正從小批量規(guī)模向產(chǎn)業(yè)商業(yè)化方向發(fā)展，同時(shí)向大尺寸和高晶體質(zhì)量方向發(fā)展。全球GaN襯底技術(shù)共有13000多件專(zhuān)利，日本和美國(guó)兩大市場(chǎng)分布的專(zhuān)利較多。全球襯底技術(shù)排名靠前的專(zhuān)利申請(qǐng)人以日本企業(yè)居多，日本住友在襯底領(lǐng)域技術(shù)儲(chǔ)備占有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。

　　第二，在氮化鎵基FET器件技術(shù)的應(yīng)用中，車(chē)規(guī)級(jí)氮化鎵功率器件市場(chǎng)規(guī)模不斷升高。美國(guó)、日本和中國(guó)為GaN基FET器件熱點(diǎn)布局市場(chǎng)，其中重點(diǎn)為美國(guó)市場(chǎng)。頭部企業(yè)中，日本企業(yè)仍占據(jù)大多數(shù)，美國(guó)Cree和英特爾也占有一定優(yōu)勢(shì)。

　　第三，Micro LED應(yīng)用場(chǎng)景廣泛涵蓋微顯示和數(shù)字終端領(lǐng)域，未來(lái)可期。Micro/Mini LED技術(shù)近5年處于高速發(fā)展期，中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)趨勢(shì)與全球總體一致，并且近5年發(fā)展勢(shì)頭迅猛，全球領(lǐng)先。在這一領(lǐng)域的專(zhuān)利申請(qǐng)方面，F(xiàn)acebook和蘋(píng)果公司分別位列第一、第二，國(guó)內(nèi)企業(yè)如京東方、歌爾股份、三安光電等也名列前茅。

　　轉(zhuǎn)自：新華財(cái)經(jīng)

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