工信部：推動我國芯片制造領(lǐng)域良率、產(chǎn)量的提升

　　2019年10月8日，工信部在其官網(wǎng)上公開了《關(guān)于政協(xié)十三屆全國委員會第二次會議第2282號(公交郵電類256號)提案答復(fù)的函》，其中指出，下一步，工信部將繼續(xù)支持我國工業(yè)半導(dǎo)體領(lǐng)域成熟技術(shù)發(fā)展，推動我國芯片制造領(lǐng)域良率、產(chǎn)量的提升。積極部署新材料及新一代產(chǎn)品技術(shù)的研發(fā)，推動我國工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)模塊產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

　　工信部在函中指出，為解決工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊等核心部件的關(guān)鍵性技術(shù)問題，工信部等相關(guān)部門積極支持工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊領(lǐng)域關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)。2017年，工信部部推出“工業(yè)強基IGBT器件一條龍應(yīng)用計劃”，針對新能源汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通三大領(lǐng)域，重點支持IGBT設(shè)計、芯片制造、模塊生產(chǎn)及IDM、上游材料、生產(chǎn)設(shè)備制造等環(huán)節(jié)，促進IGBT及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

　　工信部還指導(dǎo)湖南省建立功率半導(dǎo)體制造業(yè)創(chuàng)新中心建設(shè)，整合產(chǎn)業(yè)鏈上下游資源，協(xié)同攻關(guān)工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件、IGBT模塊領(lǐng)域關(guān)鍵共性技術(shù)。工信部指導(dǎo)中國寬禁帶半導(dǎo)體及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟發(fā)布《中國IGBT技術(shù)與產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖(2018-2030)》，引導(dǎo)我國IGBT行業(yè)技術(shù)升級，推動相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

　　工信部表示，近年來，我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展取得了長足進步，但是核心技術(shù)受制于人的局面仍然沒有根本改變，急需加強核心技術(shù)攻關(guān)，保障供應(yīng)鏈安全和產(chǎn)業(yè)安全。在當前復(fù)雜的國際形勢下，工業(yè)半導(dǎo)體材料、芯片、器件及IGBT模塊的發(fā)展滯后將制約我國新舊動能轉(zhuǎn)化及產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型，進而影響國家經(jīng)濟發(fā)展。

　　轉(zhuǎn)自：新京報

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