中國(guó)研發(fā)首個(gè)半浮柵晶體管 芯片器件核心技術(shù)獲突破

　　中新社上海8月12日電最新一期《科學(xué)》Science雜志刊登了由復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授張衛(wèi)領(lǐng)銜團(tuán)隊(duì)研發(fā)的世界第一個(gè)半浮柵晶體管SFGT研究論文，這是中國(guó)科學(xué)家首次在該權(quán)威雜志發(fā)表微電子器件領(lǐng)域的研究成果。

　　相關(guān)專(zhuān)家認(rèn)為，該成果的研制將有助于中國(guó)掌握集成電路的核心技術(shù)，從而在國(guó)際芯片設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域內(nèi)逐漸獲得更多的話語(yǔ)權(quán)。

　　MOSFET金屬—氧化物—半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管是現(xiàn)在集成電路的核心器件。在過(guò)去的幾十年里，各國(guó)科學(xué)家努力將更多的MOSFET集成到一塊芯片上來(lái)提高運(yùn)算能力，鉆研如何實(shí)現(xiàn)更小尺寸的元器件。張衛(wèi)表示，隨著器件尺寸越來(lái)越接近其物理極限，基于新結(jié)構(gòu)和新原理的晶體管成為當(dāng)前業(yè)界急需。

　　半浮柵晶體管是一種新型基礎(chǔ)器件，它是將隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管TEET和MOSFET相結(jié)合構(gòu)建而成。論文第一作者王鵬飛解釋說(shuō)，“隧穿”是量子世界的常見(jiàn)現(xiàn)象，可以“魔術(shù)般”地通過(guò)固體，好像擁有了穿墻術(shù)?！八泶眲?shì)壘越低，相當(dāng)于“墻”就越薄，器件隧穿所需電壓也就越低。把TFET和浮柵晶體管相結(jié)合，半浮柵晶體管SFGT的“數(shù)據(jù)”擦寫(xiě)更加容易、迅速。

　　據(jù)了解，這種新結(jié)構(gòu)晶體管的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，包括計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)，圖像傳感器等。它可使計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器成本大幅降低，集成度更高，讀寫(xiě)速度更快；使圖像傳感器感光單元密度更高，分辨率和靈敏度得到提升。

　　張衛(wèi)表示，半浮柵晶體管SFGT并不需要對(duì)現(xiàn)有集成電路制造工藝進(jìn)行很大的改動(dòng)，為盡快實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，目前針對(duì)這個(gè)器件的優(yōu)化和電路設(shè)計(jì)工作已經(jīng)開(kāi)始。（鄒瑞玥）

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