為進一步貫徹落實《國家中長期科學和技術發(fā)展規(guī)劃綱要（2006-2020年）》、《國務院關于加快培育和發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的決定》和《國家“十二五”科學和技術發(fā)展規(guī)劃》，加快推動半導體照明技術和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展，支撐半導體照明戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展，科技部于近日發(fā)布了《半導體照明科技發(fā)展“十二五”專項規(guī)劃》以下簡稱《規(guī)劃》。
《規(guī)劃》要求，到2015年，實現(xiàn)從基礎研究、前沿技術應用到示范應用全創(chuàng)新鏈的重點技術突破，關鍵生產(chǎn)設備、重要原料實現(xiàn)國產(chǎn)化；重點開發(fā)新型健康環(huán)保的半導體照明標準化、規(guī)格化產(chǎn)品，實現(xiàn)大規(guī)模的示范應用；建立具有國際先進水平的公共研發(fā)、檢測和服務平臺；完善科技創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策與服務環(huán)境，建成一批試點示范城市和特色產(chǎn)業(yè)化基地，培育擁有知名品牌的龍頭企業(yè)等。到2015年，產(chǎn)業(yè)規(guī)模達到5000億元，培育20~30家掌握核心技術、擁有較多自主知識產(chǎn)權(quán)、自主品牌的龍頭企業(yè)，扶持40~50家創(chuàng)新型高技術企業(yè)，建成50個“十城萬盞”試點示范城市和20個創(chuàng)新能力強、特色鮮明的產(chǎn)業(yè)化基地等。
與國際先進水平尚存差距
近年來，半導體照明技術快速發(fā)展，正向更高光效、更低成本、更可靠、更多元化領域和更廣泛應用方向發(fā)展。雖然半導體照明技術創(chuàng)新速度遠遠超過預期，但與理論光效相比仍有巨大的創(chuàng)新空間。半導體照明技術的競爭焦點主要集中在GaN基LED外延材料與芯片、高效高亮度大功率LED器件、LED功能性照明產(chǎn)品、OLED照明、半導體照明創(chuàng)新應用以及MOCVD（金屬有機物化學氣相沉積設備）等重大裝備開發(fā)等方面。
在產(chǎn)業(yè)領域，半導體照明產(chǎn)業(yè)爆發(fā)式增長，競爭整合速度加劇。半導體照明被認為是21世紀最具發(fā)展?jié)摿Φ膽?zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。近年來，世界各國政府均安排了專項資金，設立專項計劃，制定了嚴格的白熾燈淘汰計劃，大力扶持本國半導體照明技術創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
隨著人們對更高照明品質(zhì)的追求，半導體照明應用市場的快速發(fā)展，以及城市化進程對節(jié)能減排的壓力日益增大，迫切需要開展LED光源及照明產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化關鍵技術研發(fā)；與此同時，半導體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展也有利于推動新型顯示、數(shù)字家電、汽車、裝備等國民經(jīng)濟支柱產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型升級。此外，半導體照明產(chǎn)業(yè)的技術、勞動雙密集型特征，可以創(chuàng)造更多的就業(yè)崗位。
在國家科技計劃研發(fā)投入的持續(xù)支持和市場需求的帶動下，我國半導體照明技術創(chuàng)新能力得到了迅速提升，國產(chǎn)功率型白光LED器件光效超過120流明/瓦，接近國際先進水平。具有核心自主知識產(chǎn)權(quán)的硅襯底功率型LED器件已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，光效超過100流明/瓦；指示、顯示和中大尺寸背光源產(chǎn)業(yè)初具規(guī)模，功能性照明節(jié)能效果已經(jīng)顯現(xiàn)?，F(xiàn)已制定并公布了22項國家標準和行業(yè)標準。
我國半導體照明產(chǎn)業(yè)與國際先進水平的差距主要體現(xiàn)在：MOCVD等核心設備及部分原材料仍然依賴進口；外延芯片缺乏核心專利；測試方法及設備支撐不足；相關專利及技術規(guī)范研究和布局落后于產(chǎn)業(yè)發(fā)展。在搶占產(chǎn)業(yè)制高點的關鍵時期，制定半導體照明專項規(guī)劃，有助于進一步明確未來五年我國技術突破的重點方向，從而集中資源解決產(chǎn)業(yè)發(fā)展技術瓶頸，逐步縮小產(chǎn)業(yè)鏈上游技術創(chuàng)新與國際水平差距，通過系統(tǒng)集成創(chuàng)新在下游照明應用實現(xiàn)跨越式發(fā)展。
2015年將取得實質(zhì)進展
《半導體照明科技發(fā)展“十二五”專項規(guī)劃》的總體目標是：到2015年，實現(xiàn)從基礎研究、前沿技術、應用技術到示范應用全創(chuàng)新鏈的重點技術突破，關鍵生產(chǎn)設備、重要原材料實現(xiàn)國產(chǎn)化；重點開發(fā)新型健康環(huán)保的半導體照明標準化、規(guī)格化產(chǎn)品，實現(xiàn)大規(guī)模的示范應用；建立具有國際先進水平的公共研發(fā)、檢測和服務平臺；建成一批試點示范城市和特色產(chǎn)業(yè)化基地，培育一批擁有知名品牌的龍頭企業(yè)，形成具有國際競爭力的半導體照明戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。
專項規(guī)劃實施的基本原則是：堅持統(tǒng)籌規(guī)劃與市場機制相結(jié)合；堅持系統(tǒng)布局與重點突破相結(jié)合；堅持平臺建設與人才培養(yǎng)相結(jié)合；堅持立足國內(nèi)與面向國際相結(jié)合。
專項規(guī)劃對半導體照明全創(chuàng)新鏈進行全面部署，在前沿技術方面，重點布局大尺寸Si襯底等白光LED制備技術，單芯片白光、UV-LED、OLED等新型白光照明技術，高光效、高可靠、低成本的核心器件產(chǎn)業(yè)化技術，核心裝備和關鍵配套原材料國產(chǎn)化等內(nèi)容；在應用技術研究方面，重點布局低成本、替代型和多功能創(chuàng)新型半導體照明產(chǎn)品及系統(tǒng)開發(fā)，半導體照明創(chuàng)新應用產(chǎn)品開發(fā)及示范等內(nèi)容；建設創(chuàng)新機制體制的開放的、國際化的公共研發(fā)平臺；通過示范應用，推動“十城萬盞”試點工作順利實施。
在2015年，產(chǎn)業(yè)化白光LED器件光效達到國際同期先進水平150~200流明/瓦，硅基半導體照明、創(chuàng)新應用、智能化照明系統(tǒng)開發(fā)等達到世界領先水平，產(chǎn)業(yè)規(guī)模達到5000億元。建成50個“十城萬盞”試點示范城市；建立國際化、開放性的國家公共技術研發(fā)平臺。
產(chǎn)業(yè)化示范期待三“加強”
“十城萬盞”試點工作的實施，促進科技投入的不斷加大，顯著加快了技術進步速度，推進了市場機制和商業(yè)模式的形成，促進了市場的培育和節(jié)能減排，并顯著提升了LED產(chǎn)業(yè)的社會認知度。據(jù)統(tǒng)計，各“十城萬盞”試點城市已實施的示范工程超過2000項，應用LED燈具超過420萬盞，年節(jié)電超過4億千瓦時。
“十城萬盞”試點工作雖然取得了顯著成績，但相關措施和協(xié)調(diào)機制需要進一步健全，標準檢測認證工作需要進一步加強，EMC等商業(yè)模式及其推廣環(huán)境仍需要進一步完善。
“十二五”期間，我國在推動半導體照明產(chǎn)業(yè)化示范方面，將繼續(xù)加強國家層面的科學規(guī)劃和統(tǒng)籌協(xié)調(diào)，加強國家科技計劃在技術研發(fā)和產(chǎn)品創(chuàng)新應用方面的支撐力度。同時，加強質(zhì)量保障體系建設和工程評估評價，加強服務體系建設，營造良好的發(fā)展環(huán)境。
“十二五”期間，為貫徹落實專項規(guī)劃確定的各項任務，應通過政策引導與相關措施，進一步加大研發(fā)投入，培育龍頭品牌企業(yè)；創(chuàng)新聯(lián)合創(chuàng)新的體制機制，建立國家公共技術研發(fā)平臺；統(tǒng)籌標準檢測認證工作，從國家層面加快完善標準檢測認證體系；加強國際交流與合作，支持國際半導體照明聯(lián)盟建設；重視創(chuàng)新人才和團隊的培養(yǎng)。
來源：中國有色金屬報
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