近日,全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢?cè)谧钚碌摹吨袊雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報(bào)告》中指出,受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場(chǎng)需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價(jià),帶動(dòng)了2018年中國功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模大幅成長(zhǎng)12.76%,至2591億元。其中功率分立器件市場(chǎng)規(guī)模為1874億元,電源管理IC市場(chǎng)規(guī)模為717億元。
集邦咨詢分析師謝瑞峰指出,功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動(dòng)型的產(chǎn)業(yè),2019年景氣仍然持續(xù)向上。雖然仍受到全球貿(mào)易不穩(wěn)定等因素影響,但在需求驅(qū)動(dòng)下,受影響程度要小于其他IC產(chǎn)品。集邦咨詢預(yù)估,2019年中國功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到2907億元,較2018年成長(zhǎng)12.17%,維持雙位數(shù)的成長(zhǎng)表現(xiàn)。
受益于政策推動(dòng)和缺貨漲價(jià)的狀況,2018年多家中國大陸功率半導(dǎo)體廠商取得亮眼的成績(jī),并擴(kuò)大布局。其中,比亞迪微電子憑借擁有終端的優(yōu)勢(shì),在車用IGBT市場(chǎng)快速崛起,取得中國大陸車用IGBT市場(chǎng)超過兩成的市占率,一躍成為中國大陸銷售額前三的IGBT供應(yīng)商;MOSFET廠商華微電子和揚(yáng)杰科技營收大增,并且逐漸導(dǎo)入IGBT市場(chǎng)。
新建與規(guī)劃中的IGBT產(chǎn)線有士蘭微廈門12英寸特色工藝產(chǎn)線、華潤(rùn)微電子在重慶建設(shè)的12英寸特色工藝產(chǎn)線,以及積塔半導(dǎo)體專業(yè)汽車級(jí)IGBT產(chǎn)線等。同時(shí),多家廠商也投入研發(fā)SiC等新材料技術(shù)領(lǐng)域,基本半導(dǎo)體的SiC MOSFET已進(jìn)入量產(chǎn)上市,而定位為代工的三安光電SiC產(chǎn)線已開始接單,比亞迪微電子也已研發(fā)成功SiC MOSFET,其目標(biāo)是到2023年實(shí)現(xiàn)SiC MOSFET對(duì)硅基IGBT的全面替代。
轉(zhuǎn)自:中國電子報(bào)
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