我國(guó)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將保持高速增長(zhǎng)

　　賽迪顧問(wèn)股份有限公司、新材料產(chǎn)業(yè)研究中心近日發(fā)布的《2020“新基建”風(fēng)口下第三代半導(dǎo)體應(yīng)用發(fā)展與投資價(jià)值白皮書》認(rèn)為，在5G、新能源汽車、綠色照明、快充等新興領(lǐng)域蓬勃發(fā)展及國(guó)家政策大力扶持的雙重驅(qū)動(dòng)力下，我國(guó)第三代半導(dǎo)體襯底材料和半導(dǎo)體器件市場(chǎng)繼續(xù)保持高速增長(zhǎng)。預(yù)計(jì)未來(lái)3年中國(guó)第三代半導(dǎo)體襯底材料市場(chǎng)規(guī)模仍將保持20%以上的平均增長(zhǎng)速度，到2022年將達(dá)到15.21億元；第三代半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到608.21億元，增長(zhǎng)率達(dá)到78.4%。

　　數(shù)據(jù)顯示，2019年，我國(guó)第三代半導(dǎo)體襯底材料市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到7.86億元，同比增長(zhǎng)31.7%；第三代半導(dǎo)體器件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到86.29億元，增長(zhǎng)率達(dá)到99.7%。

　　白皮書認(rèn)為，“新基建”一端連接著不斷升級(jí)的消費(fèi)市場(chǎng)，另一端連接著飛速發(fā)展的科技創(chuàng)新。其中，5G基建、新能源汽車充電樁、特高壓及軌道交通四大領(lǐng)域的關(guān)鍵核心都與第三代半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展息息相關(guān)：以GaN為核心的射頻半導(dǎo)體，支撐著5G基站建設(shè)；以SiC為核心的功率半導(dǎo)體，支撐著新能源汽車充電樁、特高壓以及軌道交通系統(tǒng)的建設(shè)。未來(lái)，以GaN和SiC為首的第三代半導(dǎo)體將成為支持“新基建”的核心材料。

　　目前，我國(guó)對(duì)于第三代半導(dǎo)體材料的投資熱情勢(shì)頭不減。賽迪顧問(wèn)整理統(tǒng)計(jì)，2019年共17個(gè)增產(chǎn)（含新建和擴(kuò)產(chǎn)）項(xiàng)目（2018年6個(gè)），已披露的投資擴(kuò)產(chǎn)金額達(dá)到265.8億元（不含光電），較2018年同比增長(zhǎng)60%。其中2019年SiC領(lǐng)域投資事件14起，涉及金額220.8億元。GaN領(lǐng)域投資事件3起，涉及金額45億元。在“新基建”的引領(lǐng)下，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將成為未來(lái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要引擎。

　　白皮書認(rèn)為，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)應(yīng)當(dāng)把握“新基建”帶來(lái)的新機(jī)遇。我國(guó)第三代半導(dǎo)體處于成長(zhǎng)期，仍需要大規(guī)模資金投入、政策扶持，加大GaN、SiC的大尺寸單晶襯底的研發(fā)。此外，大尺寸單晶襯底的量產(chǎn)有助于降低器件成本、提高化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)滲透率。（記者 李洋）

　　轉(zhuǎn)自：中國(guó)高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)導(dǎo)報(bào)

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