本報訊 沈陽拓荊科技有限公司承擔的國家重大科技專項項目——90~65納米等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化研制日前獲得成功。這是我國自主開發(fā)研制的首臺12英寸PECVD設備,標志著我國在IC裝備國產(chǎn)化方面取得了重大突破。
目前,該設備已完成出廠前的工藝測試和可靠性測試,各項性能指標均達到設計要求。據(jù)悉,該設備還將在我國最大的芯片代工企業(yè)——中芯國際進行在線測試。
12英寸PECVD設備樣機的順利出廠,標志著我國在集成電路高端設備研究和制造領域達到了國際先進水平,使我國IC薄膜設備制造水平與國際IC制造業(yè)主流技術水平保持同步,完善了國內半導體重要裝備的產(chǎn)業(yè)鏈,打破了國外產(chǎn)品的技術和市場壟斷。
化學氣相沉積是反應物質在氣態(tài)條件下發(fā)生化學反應、生成固態(tài)物質沉積在加熱的固態(tài)基體表面、進而制得固體材料的工藝,常用于制造薄膜如多晶硅、非晶硅、氧化硅等?;瘜W氣相沉積工藝主要有常壓、低壓、超高真空和等離子增強法等,其中等離子體增強化學氣相沉積技術是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質發(fā)生化學反應,從而實現(xiàn)薄膜材料生長的一種新的制備技術。
據(jù)了解,擁有完全自主知識產(chǎn)權的12英寸PECVD設備樣機的成功研發(fā),確立了沈陽在全國集成電路裝備研發(fā)與制造領域同北京、上海三足鼎立的地位,將推動遼沈地區(qū)IC裝備制造產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。(沈可心)
來源:中國化工報
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