中國(guó)南車(chē)突破高端芯片技術(shù)

本報(bào)訊 我國(guó)首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）專(zhuān)業(yè)芯片線6月20日在中國(guó)南車(chē)株洲電力機(jī)車(chē)研究所有限公司建成，打破了國(guó)外在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷，對(duì)保障國(guó)民經(jīng)濟(jì)安全和推動(dòng)節(jié)能減排具有重大戰(zhàn)略意義。

與微電子技術(shù)中芯片技術(shù)一樣，IGBT芯片技術(shù)是電力電子行業(yè)中的“心臟”和“大腦”，控制并提供大功率的電力設(shè)備電能變換，有效提升設(shè)備的能源利用效率、自動(dòng)化和智能化水平。主要應(yīng)用于船舶、高壓電網(wǎng)、軌道交通等大功率電力驅(qū)動(dòng)設(shè)備中。

IGBT芯片技術(shù)含量極高，制造難度非常大，其研發(fā)、制造、應(yīng)用是衡量一個(gè)國(guó)家科技創(chuàng)新和高端制造業(yè)水平的重要標(biāo)志。過(guò)去，全球IGBT技術(shù)主要掌握在歐洲和日本等少數(shù)幾個(gè)國(guó)家手中。我國(guó)的IGBT芯片及其相關(guān)產(chǎn)品99％以上依賴進(jìn)口，國(guó)內(nèi)在芯片、封裝、裝置、系統(tǒng)還沒(méi)有形成獨(dú)立、完整的技術(shù)體系和產(chǎn)業(yè)體系。

經(jīng)過(guò)20多年的研發(fā)，中國(guó)南車(chē)上百位專(zhuān)家攻克了30多項(xiàng)重大難題，終于掌握了該器件的成套技術(shù)，建立了完整的IGBT規(guī)?；?、專(zhuān)業(yè)化生產(chǎn)工業(yè)體系，成功研制出從650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模塊，形成了IGBT的完整產(chǎn)業(yè)鏈。這條投資近15億元的8英寸IGBT生產(chǎn)線首期將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)12萬(wàn)片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬(wàn)只IGBT模塊，真正實(shí)現(xiàn)IGBT的國(guó)產(chǎn)化。

中國(guó)工程院院士、中國(guó)南車(chē)株洲所總經(jīng)理丁榮軍說(shuō)，據(jù)初步估算，如果將IGBT等電力電子技術(shù)應(yīng)用到全國(guó)20％的電機(jī)中，每年可節(jié)約用電2000億千瓦時(shí)，相當(dāng)于兩個(gè)三峽電站的年發(fā)電量。同時(shí)，我國(guó)自主研發(fā)的高功率等級(jí)的IGBT對(duì)涉及國(guó)家經(jīng)濟(jì)安全、國(guó)防安全等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)至關(guān)重要。（謝立言陽(yáng)建）

來(lái)源：國(guó)際商報(bào)

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