長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出業(yè)內(nèi)首款128層QLC閃存

　　記者從長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司 官網(wǎng)獲悉，4月13日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司在武漢宣布，其128層QLC 3D NAND 閃存研發(fā)成功，并已在多家控制器廠商SSD等終端存儲(chǔ)產(chǎn)品上通過(guò)驗(yàn)證。

　　作為業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D NAND閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X2-6070擁有業(yè)內(nèi)已知型號(hào)產(chǎn)品中最高單位面積存儲(chǔ)密度，最高I/O傳輸速度和最高單顆NAND 閃存芯片容量。此次同時(shí)發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號(hào)：X2-9060），以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。

　　如果將記錄數(shù)據(jù)的0或1比喻成數(shù)字世界的小“人”，一顆長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層QLC芯片相當(dāng)于提供3,665億個(gè)房間，每個(gè)房間住4“人”，共可容納約14,660億“人”居住，是上一代64層單顆芯片容量的5.33倍。

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)市場(chǎng)與銷(xiāo)售高級(jí)副總裁龔翊（Grace）表示，作為閃存行業(yè)的新人，長(zhǎng)江存儲(chǔ)用短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。長(zhǎng)江存儲(chǔ)128層系列產(chǎn)品將會(huì)為合作伙伴帶來(lái)更大的價(jià)值，具有廣闊的市場(chǎng)應(yīng)用前景。（鄒潔）

　　轉(zhuǎn)自：中國(guó)工業(yè)新聞網(wǎng)

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