我國有望進(jìn)入全球存儲芯片第一梯隊(duì)

　　據(jù)新華社電 位于湖北武漢“中國光谷”的國家存儲器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺4月11日正式進(jìn)場安裝，這標(biāo)志著國家存儲器基地從廠房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國首批擁有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國主流存儲器領(lǐng)域空白。

　　目前，我國通用存儲器基本全部依賴進(jìn)口，國家存儲器基地于2017年成功研發(fā)我國首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆耗資10億美元、由1000人的團(tuán)隊(duì)歷時2年自主研發(fā)的芯片，是我國在制造工藝上最接近國際高端水平的主流芯片，有望使我國進(jìn)入全球存儲芯片第一梯隊(duì)，有力提升“中國芯”在國際市場的地位。

　　紫光集團(tuán)董事長趙偉國表示，今年10月設(shè)備將點(diǎn)亮投產(chǎn)，預(yù)計(jì)2019年底64層閃存產(chǎn)品將實(shí)現(xiàn)爬坡量產(chǎn)。未來10年，紫光集團(tuán)計(jì)劃至少還將投資1000億美元，相當(dāng)于平均每年投入100億美元，進(jìn)一步拉近我國在高端芯片領(lǐng)域與先進(jìn)國家的距離。

　　轉(zhuǎn)自：中國質(zhì)量報
 

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