芯片是時下熱議的焦點,其國產(chǎn)化進程也頗受矚目。華虹集團旗下上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司的90納米低功耗(LP)嵌入式閃存工藝,以高性能、高可靠性及高集成度實現(xiàn)了高端智能卡芯片的國產(chǎn)化。憑借該工藝,他們在日前于深圳舉辦的第六屆中國電子信息博覽會(CITE2018)上,榮獲組委會頒發(fā)的金獎。作為嵌入式非易失性存儲器制造工藝技術(shù)方面的專家,華虹宏力獲得該獎項當之無愧。
嵌入式非易失性存儲器領(lǐng)域一路領(lǐng)先
“煉獨門絕技,占行業(yè)高地”,這在高科技產(chǎn)業(yè)尤其適用。華虹宏力在嵌入式非易失性存儲器(eNVM)領(lǐng)域一直保持著業(yè)界領(lǐng)先地位,從0.13微米、0.11微米、90納米一路進行技術(shù)升級創(chuàng)新。華虹宏力推出的90納米低功耗嵌入式閃存工藝平臺,以其尺寸小、功耗低、性能高的特點,具有很強的市場競爭優(yōu)勢,推動了新一代應(yīng)用的快速發(fā)展。
華虹宏力的90納米低功耗嵌入式閃存工藝平臺,是國內(nèi)最先進的200mm晶圓嵌入式存儲器技術(shù),可與標準邏輯工藝完全兼容;在確保高性能和高可靠性的基礎(chǔ)上,提供了極小面積的低功耗Flash IP,且具有極高集成度的基本單元庫,與0.11微米eFlash工藝相比,門密度提升30%以上;其創(chuàng)新的譯碼電路、電荷泵電路及靈敏放大器電路,使得嵌入式存儲器IP性能提高30%以上,功耗降低30%以上。
據(jù)該平臺研發(fā)團隊負責人李冰寒博士介紹,該生產(chǎn)工藝充分利用了機臺極限能力,IP設(shè)計與生產(chǎn)工藝進行了完美結(jié)合,無需額外工藝成本,在同一芯片中整合Flash與EEPROM,在面積大幅度減小的情況下,大大提升了產(chǎn)品的集成度,極具國際競爭力,實現(xiàn)了高端嵌入式閃存系列產(chǎn)品國產(chǎn)化。“再加上光罩成本優(yōu)勢,華虹宏力能夠為SIM卡、Ukey、SWP、社???、交通卡等智能卡和金融IC卡安全芯片產(chǎn)品以及機頂盒、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備及物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備領(lǐng)域的MCU產(chǎn)品提供高性價比的芯片制造技術(shù)解決方案。”李冰寒表示。
專利為技術(shù)提供強大支撐
企業(yè)若想取得長遠發(fā)展,必須長期堅持創(chuàng)新研發(fā),打造自主知識產(chǎn)權(quán),華虹宏力深諳這個道理。
華虹宏力90納米低功耗嵌入式閃存工藝平臺具有高度自主知識產(chǎn)權(quán),已累計獲得國內(nèi)發(fā)明專利授權(quán)多達70件,且有32件國內(nèi)發(fā)明專利正在申請中;同時獲得美國專利授權(quán)達20件,且有3件美國發(fā)明專利正在申請中。如此龐大的專利群,為技術(shù)的知識產(chǎn)權(quán)累積提供了強大的支撐。這些專利涵蓋工藝、設(shè)計等,在多個方面均有創(chuàng)新,達到國內(nèi)領(lǐng)先水平。
而來自公司客戶的反饋,也印證了在華虹宏力90納米低功耗嵌入式閃存工藝平臺上生產(chǎn)的芯片產(chǎn)品面積顯著減小,性能穩(wěn)定可靠,并具有低功耗的特點,為芯片制造提供了極具性價比的技術(shù)解決方案。
嵌入式閃存工藝平臺未來市場前景可期
華虹宏力自2016年宣布90納米嵌入式閃存工藝平臺成功量產(chǎn)后,采用該工藝生產(chǎn)的產(chǎn)品產(chǎn)值短期內(nèi)就已達到近200萬元,并以極快的增速擴大產(chǎn)值,2017年第一季度的銷售額已超過了2016年全年,而2017年全年的銷售額更是2016年的80多倍。據(jù)悉,該技術(shù)累計產(chǎn)值已超過670萬美元。而業(yè)內(nèi)人士預(yù)測,未來基于該工藝生產(chǎn)的芯片產(chǎn)品市場前景可觀,經(jīng)濟效益顯著。
華虹宏力打破國外大廠壟斷,實現(xiàn)了高性能、高可靠性的智能卡等安全芯片的設(shè)計和生產(chǎn)制造國產(chǎn)化,為我國集成電路產(chǎn)業(yè)的自主知識產(chǎn)權(quán)體系添磚加瓦,這是國內(nèi)集成電路企業(yè)肩負的使命。李冰寒博士說:“我們將不斷研發(fā)創(chuàng)新,堅持深耕嵌入式存儲器技術(shù),助力公司持續(xù)領(lǐng)航智能IC卡芯片制造領(lǐng)域,并發(fā)力物聯(lián)網(wǎng)、新能源汽車等高增長新興市場。”(記者 諸玲珍)
轉(zhuǎn)自:中國電子報
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