14nm量產(chǎn)在即，中芯國際再上臺階

　　中芯國際發(fā)布2018年第四季度財(cái)報(bào)，銷售額7.876億美元，受半導(dǎo)體市場轉(zhuǎn)冷影響，比第三季度略有下降。不過，中芯國際在先進(jìn)工藝開發(fā)方面取得突破性進(jìn)展，第一代FinFET 14nm工藝進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段，或?qū)⒂诮衲?月量產(chǎn)。同時(shí)，中芯國際還首次透露12nm等更先進(jìn)工藝的研發(fā)也在全面進(jìn)行中。14nm及12nm工藝的進(jìn)展使中芯國際有望縮小與臺積電、三星等一線晶圓代工廠商在先進(jìn)工藝上的差距。

　　14nm量產(chǎn)進(jìn)度提前

　　近日，中芯國際公布截至2018年12月31日止三個(gè)月未經(jīng)審核業(yè)績，重點(diǎn)披露了中芯國際在先進(jìn)工藝開發(fā)方面取得的成果。根據(jù)中芯國際聯(lián)席首席執(zhí)行官梁孟松的介紹，目前中芯國際第一代FinFET 14nm技術(shù)已進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段，產(chǎn)品可靠度與良率進(jìn)一步提升。

　　對此，海通電子在研究報(bào)告中指出，相比28nm HKC+，14nm FinFET工藝速度增加60%，功耗降低70%，面積減少50%。在2018年8月中芯國際首次宣布14nm FinFET工藝進(jìn)展后，公司原計(jì)劃2019年上半年風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)，2019年下半年貢獻(xiàn)營收。我們認(rèn)為公司在此工藝節(jié)點(diǎn)上的研發(fā)進(jìn)度加快了0.5~1年時(shí)間，是公司技術(shù)路線圖的重要跨越。

　　中芯國際還首次透露正在研發(fā)12nm等更先進(jìn)工藝。梁孟松表示，中芯國際提供的第一代FinFET還包括12nm，相比14nm晶體管尺寸進(jìn)一步縮微，功耗降低20%、性能提升10%，錯(cuò)誤率降低20%。目前中芯國際正在就12nm與同一批14nm客戶進(jìn)行合作。趙海軍表示則表示，目前中芯國際仍專注于14nm和12nm量產(chǎn)，在此之后將盡力滿足客戶的需求，向更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)前進(jìn)。

　　去年年中，中芯國際向荷蘭ASML（阿斯麥）訂購了一臺單價(jià)達(dá)1.2億美元的EUV極紫外光刻機(jī)，預(yù)計(jì)將于今年年初交付。該設(shè)備可用于7nm工藝的制造與開發(fā)。

　　技術(shù)水平進(jìn)入第二陣營

　　量產(chǎn)14nm，中芯國際將在國際上處于什么樣的水平？目前全球已量產(chǎn)的最先進(jìn)工藝是7nm。其中，臺積電量產(chǎn)7nm的時(shí)間約為2018年第二季度，但臺積電只在少數(shù)關(guān)鍵工藝層使用EUV極紫外光刻技術(shù)，主體仍采用第一代DUV（深紫外）工藝。采用EUV的第二代7nm最快在今年3月量產(chǎn)。三星則在2018年下半年小規(guī)模量產(chǎn)了基于EUV技術(shù)的7nm工藝，預(yù)計(jì)今年會(huì)推動(dòng)擴(kuò)大量產(chǎn)規(guī)模。

　　盡管目前最先進(jìn)的工藝已推進(jìn)到7nm，但主流芯片卻并不是全部采用7nm的工藝制造，14nm工藝仍然具有廣大的用戶群。另外，目前也僅有臺積電和三星擁有7nm工藝，中芯國際的14nm工藝并不落后。

　　至于具備14nm工藝的晶圓代工廠商，除臺積電與三星外，還有格羅方德與聯(lián)電兩家公司。目前全球半導(dǎo)體晶圓代工市場市場占有率排名，臺積電居首，三星居次，其后是格羅方德與聯(lián)電。2018年格羅方德宣布，在未來一段時(shí)間里將專注射頻、嵌入式存儲器、低功耗定制產(chǎn)品在14nm、12nm FinFET工藝改進(jìn)。此外，格羅方德還計(jì)劃把重點(diǎn)放在22DFX和12FDX工藝上，以迎合低功耗、低成本以及高性能的RF/模擬/混合信號設(shè)計(jì)。聯(lián)電同樣宣布了放棄對更先進(jìn)工藝的追蹤，目前其最先進(jìn)的工藝為2017年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的14nm。因此，隨著中芯國際量產(chǎn)14nm，在先進(jìn)工藝技術(shù)水平上，將進(jìn)入二線陣營。

　　國信證券在一份研報(bào)中指出，先進(jìn)工藝開發(fā)難度加大，中芯國際這樣的追趕者機(jī)會(huì)顯現(xiàn)。一方面，先進(jìn)工藝的IC設(shè)計(jì)費(fèi)用越來越高，代際設(shè)計(jì)費(fèi)用增速也越來越高，7nm芯片設(shè)計(jì)成本超過3億美元。另一方面，投資先進(jìn)工藝的邊際效果下降，使得格羅方德、聯(lián)電放棄7nm等先進(jìn)工藝。從這兩個(gè)角度看摩爾定律不再有效，大廠先進(jìn)工藝研發(fā)速度放緩，給中芯國際這樣的追隨者留下足夠的追趕時(shí)間。

　　中芯國際14nm量產(chǎn)還有一項(xiàng)重要意義就是有望超前臺積電南京廠的16nm工藝。不過，臺積電在中國大陸的工藝卡位在16納米。聯(lián)電轉(zhuǎn)投資的廈門聯(lián)芯最新工藝為28nm。格羅方德在成都規(guī)劃建設(shè)的是22nm FD-SOI工藝生產(chǎn)線，且需較長時(shí)間方能看到成果。那么，中芯國際的14nm/12nm如果能夠較快實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，將成為中國大陸最先進(jìn)的工藝生產(chǎn)線，從而擁有了一定的競爭優(yōu)勢。

　　擴(kuò)大營收占比仍存挑戰(zhàn)

　　中芯國際能否將這樣的競爭優(yōu)勢轉(zhuǎn)為市場增長點(diǎn)呢？國君電子發(fā)布報(bào)告表示，14nm是中芯國際在FinFET工藝上的重要入場券，預(yù)示后續(xù)研發(fā)會(huì)進(jìn)展順利。同時(shí)在盈利能力、客戶結(jié)構(gòu)、產(chǎn)能規(guī)劃等諸多角度，14nm/12nm都有超市場預(yù)期的可能。臺積電的16nm是在2015年下半年導(dǎo)入的，12nm在2018年導(dǎo)入，因此還處于設(shè)備折舊周期以內(nèi)，并不存在顯著降價(jià)的趨勢，目前14nm一片晶圓的價(jià)格約為6000美元，預(yù)計(jì)2019年將小幅下滑（但下滑程度將顯著低于28nm技術(shù)代）。如果中芯國際14nm及時(shí)量產(chǎn)，仍能為公司盈利做出較大貢獻(xiàn)。

　　不過，中芯國際財(cái)報(bào)顯示，按照工藝劃分的收入占比：150/180nm為38.7％、55/65nm為23.0％、40/45nm為20.3％、110/130nm為7.3％、28nm為5.4％、250/350nm為3.6％、90nm為1.7％?？梢?，目前中芯國際收入的主要來源仍為150/180nm、40/45nm和55/65nm工藝段，28nm只占四季度收入的5.4%，且受市場競爭激烈所致，2018年第四季度占比有所下滑。因此，盡快盈得客戶認(rèn)可，加快28nm及未來的14nm先進(jìn)工藝收入占比，對于中芯國際來說，仍然是一個(gè)重要挑戰(zhàn)。

　　對此，半導(dǎo)體專家莫大康就指出，臺積電14nm技術(shù)更成熟，也得到更多用戶的認(rèn)可，中芯國際即使實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，與之競爭也存在很大挑戰(zhàn)。中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，應(yīng)當(dāng)兩頭兼顧，一方面發(fā)展先進(jìn)工藝技術(shù)，比如14nm晶圓制造，同時(shí)也應(yīng)保盈利求生存，在傳統(tǒng)工藝、特色工藝相對優(yōu)勢領(lǐng)域求得突破。（記者 陳炳欣）

　　轉(zhuǎn)自：中國電子報(bào)

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