三星將發(fā)布新一代存儲器eMRAM 取代DRAM地位仍需時(shí)日

　　目前，存儲器市場以NAND Flash和DRAM為主，但是對于下一代新型存儲器的探索一直持續(xù)不斷。近期，存儲器市場龍頭企業(yè)陸續(xù)推出eMRAM的相關(guān)技術(shù)，作為企業(yè)的風(fēng)向標(biāo)，此舉動(dòng)是否會影響NAND Flash和DRAM的市場格局？新一代存儲器是否具備實(shí)力爭奪傳統(tǒng)存儲器的市場？

　　下一代存儲器來臨

　　近期，三星傳出消息，將發(fā)布新一代存儲器eMRAM，計(jì)劃今年下半年試產(chǎn)1Gb eMRAM測試芯片。據(jù)了解，eMRAM模塊可以很容易地插入28FDS工藝的后端，對工藝前端的依賴性較小，以便與現(xiàn)有的邏輯技術(shù)（包括體硅、FinFET和FDSOI晶體管）更易集成。與NAND Flash和DRAM相比，eMRAM可以進(jìn)行無電源存儲數(shù)據(jù)材料，并且具備極高的存儲速度。三星官方表示，eMRAM屬于非易失性存儲器，采用Spin-torque transfer自旋傳輸科技進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫，因此在速度上要遠(yuǎn)超過NAND。

　　此外，eMRAM具有更低的能耗，工作期間的耗電量要遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)存儲器，停止工作時(shí)可以斷電保存。三星宣布該款產(chǎn)品基于其28納米FD-SOI工藝，首款嵌入式MRAM（eMRAM）產(chǎn)品將投入商業(yè)生產(chǎn)。

　　在第64屆國際電子器件會議（IEDM）上，三星展示了eMRAM在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)，值得關(guān)注的是，英特爾同期也推出了自家嵌入式 MRAM的相關(guān)工藝。一時(shí)間，關(guān)于eMRAM的話題不斷，有專家稱，eMRAM將會是構(gòu)建下一代非易失性緩存和主存的潛在存取器件之一。

　　下一代存儲器的討論一直很熱。英特爾曾推出自家3D XPoint，速度介于DRAM和NAND Flash之間，被業(yè)內(nèi)看成是下一代存儲器的接力棒選手。但因英特爾與美光合作的終止，導(dǎo)致3D XPoint存儲器產(chǎn)品前途堪憂。除此之外，相變存儲器（PCM）、鐵電存儲器（FeRAM）、磁阻RAM（MRAM）、電阻RAM（RRAM或 ReRAM）、自旋轉(zhuǎn)移力矩RAM（STT－RAM）、導(dǎo)電橋RAM（CBRAM）、氧化物電阻存儲器（OxRAM）等眾多新興存儲器技術(shù)或?qū)⒏顡?jù)未來的存儲器市場。

　　取代傳統(tǒng)存儲器？

　　三星半導(dǎo)體在存儲行業(yè)中可以稱作是風(fēng)向標(biāo)的存在。此次，三星重磅推出eMRAM，英特爾緊隨其后，兩家代表性企業(yè)的這些舉動(dòng)，對存儲器市場來說，勢必會產(chǎn)生一些影響。"對于三星半導(dǎo)體，公司本身就具備優(yōu)異的存儲器設(shè)計(jì)能力，而且還具有自己的LSI代工產(chǎn)能，如果未來采用自家的下一代存儲器eMRAM，并且成功導(dǎo)入流量平臺，將有助于取代部分的DRAM/NAND Flash，成為另一種分支形態(tài)的存儲器解決方案。"集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心（DRAMeXchange）資深協(xié)理吳雅婷說。

　　下一代存儲器eMRAM真的會取代DRAM和NAND Flash嗎？"eMRAM只會部分取代DRAM/NAND的使用量，但并沒有辦法完全取代現(xiàn)有的存儲器解決方案。"吳雅婷告訴《中國電子報(bào)》記者。在所有新一代存儲器中，eMRAM的電信特性與DRAM和NAND Flash 極其相似，具備一定的優(yōu)點(diǎn)，但并未具備完全替代DRAM和NAND Flash的性能。"使用新一代存儲器，對于傳統(tǒng)平臺來說，需要改變以往的平臺架構(gòu)才能適應(yīng)，并不是可以輕松進(jìn)行使用的。"吳雅婷說。

　　新一代存儲器想要獲得一定的市場空間，還需要與現(xiàn)有的存儲器解決方案進(jìn)行配合，加快適應(yīng)傳統(tǒng)平臺的架構(gòu)，釋放性能方面的優(yōu)勢。"如果新一代存儲器與傳統(tǒng)存儲器配合得當(dāng)，能夠在省電以及性能方面取得一定的優(yōu)勢，就會為市場帶來多一種存儲器的選項(xiàng)。這將會讓產(chǎn)業(yè)在存儲器市場發(fā)生大缺貨時(shí)，避免價(jià)格不穩(wěn)定等問題。"吳雅婷說。（記者 顧鴻儒）

　　轉(zhuǎn)自：中國電子報(bào)

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